Journals

  • Home
  • Publication
  • Journals
Energy-Band-Engineered Unified-RAM (URAM) Cell on Buried Si1-yCy Substrate for Multifunctioning Flash Memory and 1T-DRAM
Journal
IEEE Trans. Electron Devices
Author
J. W. Han, S. W. Ryu, C. J. Kim, S. J. Choi, S. H. Kim, J. H. Ahn, D. H. Kim, K. J. Choi, B. J. Cho, J. S. Kim, K. H. Kim, G. S. Lee, J. S. Oh, M. H. Song, Y. C. Park, J. W. Kim, and Y. K. Choi
Year
2009
Date
Apr. 2009.

J. W. Han, S. W. Ryu, C. J. Kim, S. J. Choi, S. H. Kim, J. H. Ahn, D. H. Kim, K. J. Choi, B. J. Cho, J. S. Kim, K. H. Kim, G. S. Lee, J. S. Oh, M. H. Song, Y. C. Park, J. W. Kim, and Y. K. Choi,“Energy-Band-Engineered Unified-RAM (URAM) Cell on Buried Si1-yCy Substrate for Multifunctioning Flash Memory and 1T-DRAM”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 4, pp.641-647, Apr. 2009.