Journals

  • Home
  • Publication
  • Journals
Role of hole fluence in gate oxide breakdown
Journal
IEEE Electron Device Lett.
Author
M. F. Li, Y. D. He, S. G. Ma, B. J. Cho, K. F. Lo, and M. Z. Xu
Year
1999
Date
Nov. 1999.

M. F. Li, Y. D. He, S. G. Ma, B. J. Cho, K. F. Lo, and M. Z. Xu, "Role of hole fluence in gate oxide breakdown", IEEE Electron Device Lett., vol. 20, no. 11, pp. 586-588, Nov. 1999.