Journals

  • Home
  • Publication
  • Journals
RF, DC and Reliability Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO2-Al2O3 Laminate MIM Capacitors for Si RF IC Applications
Journal
IEEE Trans. Electron Devices
Author
S. J. Ding, H. Hu, H. F. Lim, S. J. Kim, X. F. Yu, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, D. S. H. Chan, S. C Rustagi, M. B. Yu, A. Chin, and D.-L. Kwong
Year
2004
Date
Jun. 2004.

S. J. Ding, H. Hu, H. F. Lim, S. J. Kim, X. F. Yu, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, D. S. H. Chan, S. C Rustagi, M. B. Yu, A. Chin, and D.-L. Kwong, "RF, DC and Reliability Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO2-Al2O3 Laminate MIM Capacitors for Si RF IC Applications," IEEE Trans. Electron Devices. vol. 51, no. 6, pp. 886-894, Jun. 2004.