고분자 iCVD 증착 기술을 이용한 불소 도핑에 의한 a-InGaZnO 박막 트랜지스터 소자 특성 향상
- Year
- 2024
- Author
- 오승현
- Co-author
- 이창현, 조성행, 김희태, 박정익, 김민주, 박영근, 정민규, 박세준, 임성갑, 조병진
- Conference
- The 31th Korean Conference on Semiconductors, 2024
고분자 iCVD 증착 기술을 이용한 불소 도핑에 의한 a-InGaZnO 박막 트랜지스터 소자 특성 향상
오승현1, 이창현2, 조성행3, 김희태1, 박정익2, 김민주4, 박영근1, 정민규5, 박세준5, 임성갑2, 조병진1
1한국과학기술원 전기 및 전자공학부, 2한국과학기술원 신소재공학부, 3한국전자통신연구원 플렉시블전자소자연구실, 4단국대학교 전자전기공학부, 5삼성전자