Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링(~5.7 A) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소
- Year
- 2018
- Author
- Tae In Lee, Min Ju Kim, Manh-Cuong Nguyen, Hyun Jun Ahn, Jungmin Moon, Tae Yoon Lee, Hyun-Young Yu, Rino Choi, Wan Sik Hwang, and Byung Jin Cho
- Conference
- The 25th Korean Conference on Semiconductors
Tae In Lee, Min Ju Kim, Manh-Cuong Nguyen, Hyun Jun Ahn, Jungmin Moon, Tae Yoon Lee, Hyun-Young Yu, Rino Choi, Wan Sik Hwang, and Byung Jin Cho, “Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링(~5.7 A) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소”, The 25th Korean Conference on Semiconductors, Kangwondo, Korea, Feb. 5-7, 2018.
Feb. 5-7, 2018.
Kangwondo, Korea