Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조
- Year
- 2019
- Author
- Tae In Lee, Min Ju Kim, Hyun Jun Ahn, Eui Joong Shin, Seung Hwan Lee, Sung Won Shin, Wan Sik Hwang, Hyun-Young Yu, and Byung Jin Cho
- Conference
- The 26th Korean Conference on Semiconductors
Tae In Lee, Min Ju Kim, Hyun Jun Ahn, Eui Joong Shin, Seung Hwan Lee, Sung Won Shin, Wan Sik Hwang, Hyun-Young Yu, and Byung Jin Cho, “Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조”, The 26th Korean Conference on Semiconductors, Kangwondo, Korea, Feb. 13-15, 2019.
Feb. 13-15, 2019.
Kangwondo, Korea