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2026
9

"Hidden Domain-State Engineering for Pass-Disturb Suppression in FeFET-Based 3D NAND Flash Memory " Sheung Hun Kim , Yungjun Kim, Dae Hyun Kang, Youngkeun Park, Dongkyu Lee, and Byung Jin Cho , 2026 International Electron Devices Meeting (IEDM) , 2026
8

"System-Level Thermal Management and Capacitor Reliability Enhancement in Heterogeneous 3D Integrated Power Delivery System" Minhyeok Lee, Chan Jik Lee, Bong Ho Kim, Donggeon Lee, Jongun Beom, Sunghwan Lee, Chae Yeon Han, Heetae Kim, Younkeun Park, Byung Jin Cho, Jaeyong Jeong, Sanghyeon Kim, 2026 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2026
7

"Bandgap-Engineered Gate Stack Using BN-Based Dielectric for 3D V-NAND Flash Memory" Dae Hyun Kang, Jaejoong Jeong, Youngkeun Park, Yungjun Kim, Dong Hun Sin, Soo Kyeom Yong, Bio Kim, Han Mei Choi and Byung Jin Cho, 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2026
6

"3D NAND Flash Memory용 Boron Oxynitride 터널링 층의 전하 트랩 준위 및 TAT 기반 Retention Loss 분석" 강대현, 정재중, 박영근, 김영준, 조병진, 2026 반도체공학회 하계종합학술대회, 2026
5

"Indium 삽입층을 적용한 a-IGZO 박막 트랜지스터 저저항 Contact의 열적 안정성 연구" 이호석, 김희태, 김희수, 조성행, 조병진, 2026 반도체공학회 하계종합학술대회, 2026
4

"산화텔루륨(TeOx) 이종 접합 게이트를 이용한 β-Ga2O3 기반 모놀리식 양방향 스위치 (Monolithic Bidirectional Switch)" 김동빈, 백종수, 서다희, 박윤서, 김형우, 김형윤, 박지현, 전대우, 조병진, 2026 전기전자재료학회 하계학술대회, 2026
3

"P-형 산화텔루륨 양극 중간층을 도입한 비대칭 구조의 베타상 산화갈륨 UVC 광 검출기" 백종수, 김동빈, 서다희, 박윤서, 조영관, 신명훈, 김형윤, 박지현, 전대우, 조병진, 2026 전기전자재료학회 하계학술대회, 2026
2

"산화텔루륨/베타상 산화갈륨 (TeOx/β-Ga2O3) 이종 접합 기반 양극성 트랜지스터의 동작 특성 연구" 서다희, 김동빈, 백종수, 박윤서, 김형윤, 박지현, 전대우, 조병진, 2026 전기전자재료학회 하계학술대회, 2026
1

"p형 산화텔루륨을 이종 접합 게이트로 적용한 베타상 산화갈륨 트랜지스터의 UVC 검출 성능 개선" 박윤서, 김동빈, 백종수, 서다희, 조영관, 신명훈, 김형윤, 박지현, 전대우, 조병진, 2026 한국전기전자재료학회 하계학술대회, 2026

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