나노 평면 구조의 반도체 채널에서 반도체를 완전히 둘러싼 게이트 스택 구조를 갖는 게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
- Inventor
- B. J. Cho, S. G. Kim, S. H. Cho
- No.
- 10-2024-0035452
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2024
조병진, 김성근, 조성행, 나노 평면 구조의 반도체 채널에서 반도체를 완전히 둘러싼 게이트 스택 구조를 갖는 게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터 제조 방법, 10-2024-0035452, Mar. 2024.