iCVD 공정방식을 통한 산화물 반도체 채널 내 플루오렌 도핑 방법
- Inventor
- B. J. Cho, Y. K. Park, H. T. Kim, J. J. Jeong
- No.
- 10-2024-0036401
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2024
조병진, 박영근, 김희태, 정재중, iCVD 공정방식을 통한 산화물 반도체 채널 내 플루오렌 도핑 방법, 10-2024-0036401, Mar. 2024.
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