이중 채널 구조를 갖는 산화물 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법
- Inventor
- B. J. Cho, Y. K. Park, J. J. Jeong, D. H. Kang, S. H. Kim, J. H. Chu
- No.
- 10-2024-0119159
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2024
조병진, 박영근, 정재중, 강대현, 김승훈, 추준홍, 이중 채널 구조를 갖는 산화물 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법, 10-2024-0119159, Sep. 2024.