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전하 트랩 메모리 소자에서 반강유전성 물질을 이용한 동작 효율성 향상 방법
Inventor
S. W. Shin, E. J. Shin, B. J. Cho
No.
17316777
출원국가
국외
상태
출원
Date
2021
Date
Dec. 2021

S. W. Shin, E. J. Shin, B. J. Cho, "전하 트랩 메모리 소자에서 반강유전성 물질을 이용한 동작 효율성 향상 방법", 17316777/US, Dec. 2021.