이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자
- Inventor
- B.J. Cho, M.J. Kim, J.J. Jeong
- No.
- 10-2021-0131451
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2021
B.J. Cho, M.J. Kim, J.J. Jeong, "이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자", 10-2021-0131451, Oct, 2021.
B.J. Cho, M.J. Kim, J.J. Jeong, "이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자", 10-2021-0131451, Oct, 2021.