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이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자
Inventor
B.J. Cho, M.J. Kim, J.J. Jeong
No.
10-2021-0131451
출원국가
국내
상태
출원
Date
2021
Date
Oct. 2021

B.J. Cho, M.J. Kim, J.J. Jeong, "이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자", 10-2021-0131451, Oct, 2021.