유-무기 하이브리드 박막 기반 저항 변화 메모리 소자
- Inventor
- B. J. Cho, M. J. Kim, J. J. Jeong
- No.
- 10-2317087-0000
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 등록
- Date
- 2021
조병진, 김민주, 정재중, Resistive random access memory device based on organic-inorganic hybrid thin film, 10-2317087-0000, Mar. 2020.
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