전하 트랩 메모리 소자에서 반강유전성 물질을 이용한 동작 효율성 향상 방법
- Inventor
- S. W. Shin, E. J. Shin, B. J. Cho
- No.
- 17316777
- 출원국가
- 국외
- 상태
- 출원
- Date
- 2021
S. W. Shin, E. J. Shin, B. J. Cho, "전하 트랩 메모리 소자에서 반강유전성 물질을 이용한 동작 효율성 향상 방법", 17316777/US, Dec. 2021.
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