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2024
25

"FeFET 메모리 소자" B. J. Cho, J. J. Jeong, 10-2024-0162679, 국내, 출원 Nov. 2024.
24

"반도체 소자의 제조 방법" B. J. Cho, J. J. Jeong, Y. K. Park, J. H. Chu, S. H. Kim, D. H. Kang, 10-2024-0130082, 국내, 출원 Sep. 2024.
23

"3차원 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법" B. J. Cho, J. J. Jeong, S. H. Kim, Y. K. Park, D. H. Kang, 10-2024-0129955, 국내, 출원 Sep. 2024.
22

"듀얼 스위칭 메모리 소자 및 이를 제조하는 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, J. J. Jeong, D. H. Kang, S. H. Kim, J. H. Chu, 10-2024-0129920, 국내, 출원 Sep. 2024.
21

"SEMICONDUCTOR DEVICES AND DATA STORAGE SYSTEMS INCLUDING THE SAME" B. J. Cho, E. J. Shin, D. H. Shin, H. M. Choi, B. O. Kim, P. W. Nam, 18/887,200, 국외, 출원 Sep. 2024.
20

"강유전체 커패시터를 포함하는 3차원 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, J. J. Jeong, J. H. Chu, S. H. Kim, D. H. Kang, 10-2024-0122501, 국내, 출원 Sep. 2024.
19

"산화물 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, H. T. Kim, J. J. Jeong, 10-2024-0118975, 국내, 출원 Sep. 2024.
18

"이중 채널 구조를 갖는 산화물 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, J. J. Jeong, D. H. Kang, S. H. Kim, J. H. Chu, 10-2024-0119159, 국내, 출원 Sep. 2024.
17

"시간차 전계 분포 차이를 이용한 FeFET 메모리 소자" B. J. Cho, J. J. Jeong, 10-2024-0084144, 국내, 출원 Jun. 2024.
16

"이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자" B. J. Cho, J. J. Jeong, 10-2024-0081708, 국내, 출원 Jun. 2024.
15

"커패시터, 커패시터의 제조 방법, 커패시터를 포함하는 전자 소자 및 전자 소자의 제조 방법" B. J. Cho, S. H. Kim, J. Y. Lee, W. Y. Park, G. B. Lim, J. W. Moon, 10-2024-0077369, 국내, 출원 Jun. 2024.
14

"산화물 반도체 트랜지스터 형성 방법" B. J. Cho, S. H. Cho, S. G. Kim, 10-2024-0038713, 국내, 출원 Mar. 2024..
13

"iCVD 공정방식을 통한 산화물 반도체 채널 내 플루오렌 도핑 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, H. T. Kim, J. J. Jeong, 10-2024-0036401, 국내, 출원 Mar. 2024.
12

"듀얼 스위칭 메모리 소자 제작을 위한 열적 안정성 확보 방법" B. J. Cho, Y. K. Park, J. J. Jeong, D. H. Kang, S. H. Kim, J. H. Chu, 10-2024-0036372, 국내, 출원 Mar. 2024.
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"전하 포획형 플래시 소자의 셀간 간섭 개선 방법" B. J. Cho, J. J. Jeong, S. H. Kim, Y. K. Park, D. H. Kang, 10-2024-0036417, 국내, 출원 Mar. 2024.

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