iCVD 공정방식을 통한 3D V-NAND 폴리실리콘 채널 내 Fluorine 도핑 기술
- Inventor
- B. J. Cho, J. I. Park, Y. K. Park, S. G. Lim
- No.
- 10-2025-0025488
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2025
조병진, 박정익, 박영근, 임성갑, iCVD 공정방식을 통한 3D V-NAND 폴리실리콘 채널 내 Fluorine 도핑 기술, 10-2025-0025488, Feb. 2025.
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