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iCVD 공정방식을 통한 3D V-NAND 폴리실리콘 채널 내 Fluorine 도핑 기술
Inventor
B. J. Cho, J. I. Park, Y. K. Park, S. G. Lim
No.
10-2025-0025488
출원국가
국내
상태
출원
Date
2025
Date
Feb. 2025

조병진, 박정익, 박영근, 임성갑, iCVD 공정방식을 통한 3D V-NAND 폴리실리콘 채널 내 Fluorine 도핑 기술, 10-2025-0025488, Feb. 2025.