DRAM용 커패시터, 이를 포함하는 DRAM 및 이들의 제조 방법

요 약

DRAM용 커패시터와 이를 포함하는 DRAM 및 이들의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 일 실시예에 따른 DRAM용 커패시터는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 이격된 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 HfZrO 막을 구비한 유전체층을 포함할 수 있고, 상기 HfZrO 막은 반강유전성을 갖는 정방정계(tetragonal) 결정상의 또는 상기 정방정계 결정상이 지배적인(dominant) 제 1 상태와 강유전성을 갖는 사방정(orthorhombic) 결정상의 또는 상기 사방정계 결정상이 지배적인 제 2 상태 사이의 상전이 영역에 해당하는 중간 상태를 가질 수 있다. 상기 HfZrO 막은 상기 정방정계 결정상과 상기 사방정계 결정상을 모두 포함할 수 있다. 상기 커패시터의 동작 전압 범위 내에서 상기 HfZrO 막은 상기 상전이 영역에 해당하는 중간 상태를 유지할 수 있