터널링 유전막을 포함하는 반도체 메모리 장치
- Inventor
- B. J. Cho, D. H. Kang, D. H. Sin, H. M. Choi, B. O. Kim
- No.
- 10-2025-0170356
- 출원국가
- 국내
- 상태
- 출원
- Date
- 2025
조병진, 강대현, 신동훈, 최한메, 김비오, 터널링 유전막을 포함하는 반도체 메모리 장치, 10-2025-0170356, Nov. 2025.
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조병진, 강대현, 신동훈, 최한메, 김비오, 터널링 유전막을 포함하는 반도체 메모리 장치, 10-2025-0170356, Nov. 2025.