Dielectric ALD
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작성자 최고관리자
댓글 0건 조회 1,118회 작성일 2021-02-04 18:03
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Equipment: Dielectric ALD
Model : iOV-dx1 (ISAC)
Application
- Dielectric ALD process (Al2O3, La2O3, HfO2, ZrO2, HfZrO)
- Thermal and Plasma ALD process
- Plasma treatment
General information
- 8'' Diameter wafer
- Materials - Precursor: TMA, TEMAHf, TEMAZr etc.
- Materials - Reactants: Ar, N2, H2, O3, H20
- Wafer temperature: 150~450
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