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12월 7부터 3일간 미국의 볼티모어 힐튼 호텔에서 열리는 2009 International Electron Device Meeting 학회에 참가하고 돌아왔다. 외국 학술대회에 참석은 처음이어서 그런지 출발 전부터 조금은 긴장이 됐다. 그래도 윤준보 교수님 연구실의 박사과정학생 정언이와 함께 가서인지 걱정을 조금 덜 수는 있었다.

12월 5일 아침 11시 비행기를 타고 볼티모어로 향했다. 시차가 14시간이나 나는 곳이라 그런지 비행기안에서도 미국에 도착해서도 육체적으로 힘이 들었다. 정언이는 이번에 NEMS 세션에 accept이 되어 발표를 하러 가는 것이었기 때문에 더욱 긴장된 모습이었는데 그런 모습이 나에게는 부러움으로 느껴졌다.

뉴욕 JFK 공항에 내려 다시 4시간 가량 버스를 타고 볼티모어로 향했다. 뉴욕은 생각 외로 도시가 오래되어서 그런지 거리와 지하철이 깨끗하지 못했다. 장애인들을 위한 시설(교통시설, 지하철등)도 많이 부족하다는 생각이 들었다. 그래도 맨하튼 시내 중심의 휘황찬란한 전광판들은 흡사 외국 영화와 드라마에서 보던 그 뉴욕의 풍경 그대로를 담고 있었다. 볼티모어로 이동하기가 조금은 아쉬워졌다. ㅎㅎ

12월 6일 정언이는 다음날 발표를 준비하느라 정신 없이 발표 스크립트를 외우고 준비했다. 나는   오후에 버스로 한 시간 걸리는 가까운 워싱턴 D.C 에 잠깐 들려 박물관과 기념관을 구경하고 저녁에는 정언이가 발표 리허설하는 것을 옆에서 들어주었다. 사실 NEMS 쪽에 대해서는 문외한이라 조언은 크게 해주지 못했지만 누군가 앞에서 발표연습을 해보았다는 사실에 대해서 정언이가 고마워했다.

12월 7일 일찍 아침을 먹고 학회가 열리는 힐튼 호텔로 향했다. 이미 많은 사람들이 오전에 열리는 plenary session을 듣기 위해 모여들었다. Plenary session은 우리 연구실 분야와 크게 상관이 없는 그래픽카드와 헬스케어 쪽에 대한 발표라 듣긴 했어도 무슨 말인지 이해가 잘 되지 않았다. 무엇보다도 session 방의 크기에 놀랐는데 session의 경중에 따라서 차이가 있기는 했지만 대부분 적어도 300~400명은 들어갈 정도의 크기였다. 이 많은 사람들 앞에서 떨림 없이 발표하려면 굉장한 내공이 필요할 것 같다는 생각이 들었다. 오후에는 high-k reliability session 쪽을 위주로 듣고 마지막으로 정언이 발표를 들었다. 굉장히 걱정을 많이 했는데 차분히 발표하는 모습이 인상적이었다.

12월 8일 아침부터 그래핀 세션이 열렸다. 올해에는 모든 발표가 invited paper 였지만 그 열기가 대단했다. 이른 아침부터 굉장히 많은 사람들이 세션을 듣기 위해 모여들었다. 발표내용은 지금까지 우리 연구실 세미나를 통해 대부분 소개된 내용들이라 이해하기에 크게 어려움이 없었다. 올해의 추세로 보건대 내년에는 많은 수의 양질의 그래핀 디바이스 관련 논문들이 나올 것임을 예상할 수 있었다. 우리 연구실도 좋은 결과를 내서 내년에는 꼭 IEDM에 참가했으면 좋겠다는 생각을 했다. 오후에는 인텔 관계자 분들 위주로 beyond 20nm 라는 주제로 발표하는 special session에 참가했는데 대부분 circuit 쪽에 관련된 내용이라 크게 흥미롭지는 않았다. 간간히 organic device에 관련된 session도 들었는데 session 방은 작았지만 특히 Stanford 와 MIT 학생들의 발표내용과 발표수준은 상당히 배울만한 것들이었다.

학회의 마지막 날 드디어 내가 연구하는 분야의 주제인 Flash memory, DRAM 관련 session이 열렸다. 오전에는 3D stack 쪽의 flash memory 세션이 있었는데 가장 많은 관심을 받은 것은 flash memory를 vertical 하게 쌓는 도시바의 BiCS 구조에 관련된 발표였다. 2007년 VLSI에 발표되어 많은 관심을 받았는데 그때 발생된 문제를 이번에 많이 optimization했다는 느낌을 받았다. 특히 sidewall 쪽에 새로운 물질의 silicided control gate를 도입했는데 삼성과 하이닉스 관계자분들의 관심이 상당해 보였다. 결국 무슨 물질인지 알려주진 않았지만.. ㅋㅋ 같은 세션에 최양규 교수님 연구실의 진우형과 저번 학기에 졸업한 승완이 형이 발표를 했는데 많은 사람들 앞에서 능숙하게 발표하고 질의 응답하는 모습이 당당해 보였다.

DRAM 쪽에서 물질 관련된 논문은 한편 발표되었는데 새로운 high-k 물질 개발이 어렵다는 것을 실감 할 수 있었다. 그 논문은 HfO2에 Al2O3 를 도핑하여 cubic 구조의 HfO2 를 만드는 것이었는데 우리 그룹의 연구 결과와 연구 방법이 유사하여 아쉽다는 생각이 들었다. 오후에는 본격적으로 Flash memory 세션이 열렸는데 역시나 물질 개발보다는 새로운 구조를 제시하거나 device 분석이 주류를 이루고 있었다.

이번 IEDM 학회의 대세는 그래핀 세션이었던 것 같다. 학회의 중심이 되는 시간에 배치되는 것도 그렇고 사람들의 관심도도 굉장히 높다는 느낌을 받았다. 그에 반해 DRAM 과 Flash memory와 같은 선도 메모리 분야의 세션에 대한 사람들의 관심도는 상당히 저조했다. 새로운 물질의 개발이 어려워서 참신한 논문이 나오지 못하는 것도 하나의 원인이라는 생각이 들었다.

간간히 우리나라의 다른 대학 학생들의 발표를 들었다. 발표를 수월하게 잘해내는 학생들도 있는 반면에 자신이 준비한 것의 반도 풀어내지 못하는 학생들도 있는 것 같아 안타까웠다. 역시나 해외학회에서는 실력은 당연히 기본이고 거기에 영어가 확실히 모든 것을 압도하는 기준이 된다는 것을 실감할 수 있었다.

첫째 날 저녁에 wine and cheese reception이 있었는데 수많은 대가와 Stanford, Berkeley 등 전자device 분야 최고 대학의 명망 높은 교수님과 학생들은 바로 앞에서 볼 수 있어서 가슴이 뛰었다. 특히나 올해 나노팹에서 세미나를 하셨던 인텔의 이석희 박사님을 뵙고 조병진 교수님 연구실 학생이라고 인사를 드렸더니 반갑게 맞아주셔서 감사했다. ㅋㅋ

반도체 분야의 champion이라는 IEDM 학회. 내년에는 우리 연구실 학생들도 열심히 해서 그 최고의 자리에 오르길 기대해 본다.

마지막으로 이렇게 소중한 경험을 하고 견문을 넓힐 수 있는 기회를 제공해 주신 교수님께 감사의 말씀을 드립니다.